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μ PA2201T1M
2
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
100
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
10
T ch = ? 25 ° C
25 ° C
1
1
V DS = 10 V
0.1
75 ° C
125 ° C
V DS = 10 V
0
I D = 1 mA
0.01
Pulsed
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
0.001
0.01
0.1
1
10
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
100
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
100
80
60
40
Pulsed
80
60
40
I D = 9 A
Pulsed
V GS = 2.5 V
20
0
4.5 V
20
0
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
V GS - Gate to Source Voltage - V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
40
30
V GS = 2.5 V
10000
20
1000
C iss
10
0
4.5 V
I D = 4.5 A
Pulsed
100
10
V GS = 0 V
f = 1 MHz
C oss
C rss
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
0.1
1
10
100
4
T ch - Channel Temperature - ° C
Data Sheet G19447EJ1V0DS
V DS - Drain to Source Voltage - V
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